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未经证实算力11月03日 10:21 UTC

据报道三星计划在得州建第二座工厂,为 AMD 和英伟达生产 HBM 基础芯片

《每日经济》援引业内人士称,Taylor Fab 2 将采用 2 纳米技术,11 月动工,2030 年量产,全部产能已获订单,其中大部分来自 AMD;三星拒绝置评。

在 UA.News, citing Maeil Business via CNA 阅读全文 分享

为何重要

基础芯片是 HBM 堆栈底部的逻辑层,目前 HBM4 基础芯片采用 4 纳米工艺。报道称,在得州生产将把美国制造的逻辑芯片与韩国生产的 DRAM 核心芯片结合。该计划将使三星在 Taylor 拥有第二座工厂,第一座工厂与特斯拉的供货协议相关。该消息尚未证实,需关注三星公告或报道中 11 月的动工。

要点

  • 得州 Taylor Fab 2
  • 据《每日经济》,采用 2 纳米技术
  • 约 270 万平方英尺
  • 2029 年 2 月起安装设备
  • 预计 2030 年量产
  • 三星拒绝置评

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