据报道三星计划在得州建第二座工厂,为 AMD 和英伟达生产 HBM 基础芯片
《每日经济》援引业内人士称,Taylor Fab 2 将采用 2 纳米技术,11 月动工,2030 年量产,全部产能已获订单,其中大部分来自 AMD;三星拒绝置评。
为何重要
基础芯片是 HBM 堆栈底部的逻辑层,目前 HBM4 基础芯片采用 4 纳米工艺。报道称,在得州生产将把美国制造的逻辑芯片与韩国生产的 DRAM 核心芯片结合。该计划将使三星在 Taylor 拥有第二座工厂,第一座工厂与特斯拉的供货协议相关。该消息尚未证实,需关注三星公告或报道中 11 月的动工。
要点
- 得州 Taylor Fab 2
- 据《每日经济》,采用 2 纳米技术
- 约 270 万平方英尺
- 2029 年 2 月起安装设备
- 预计 2030 年量产
- 三星拒绝置评