サムスン、テキサス第2工場でAMDとNvidia向けHBMベースダイを生産へと報道
毎日経済新聞は業界関係者の話として、Taylor Fab 2は2ナノ技術を採用し、11月に着工、2030年に量産を始め、全生産量がすでに受注済みで大半はAMD向けと報じた。サムスンはコメントを控えた。
なぜ重要か
ベースダイはHBMスタック最下部のロジック層で、現行HBM4のベースダイは4ナノプロセスを使う。報道によれば、テキサスで生産すれば米国製ロジックと韓国製DRAMコアダイを組み合わせることになる。計画はTaylorにサムスン2つ目の工場を加えるもので、第1工場はテスラとの供給契約に結び付いている。報道は未確認で、サムスンの発表や11月とされる着工が注目点だ。
要点
- テキサスのTaylor Fab 2
- 毎日経済によれば2ナノ技術
- 約270万平方フィート
- 2029年2月から装置搬入
- 2030年に量産見込み
- サムスンはコメントを控えた